Вместо декабря 2024 года проект может быть реализован до 31 декабря 2025 года. Об этом говорится в пояснительной записке замминистра науки и высшего образования РФ Дениса Секиринского.
Министерство науки и высшего образования России предлагает продлить на год сдачу строящегося центра «Сибирский кольцевой источник фотонов» (СКИФ). Для переноса даты по сдаче проекта предполагается внести поправки в Указ президента России о мерах по развитию синхротронных и нейтронных исследований и соответствующей инфраструктуры. Об этом со ссылкой на пояснительную записку за авторством замминистра науки и высшего образования Дениса Секиринского сообщают «Ведомости».
Для центра СКИФ министерство хочет перенести сроки создания источника синхротронного излучения поколения 4+ с 31 декабря 2024 года до 31 декабря 2025 года. Задержки объясняют уникальностью и строительной сложностью проекта, а также необходимостью доработки проектных решений из-за просадки грунта.
Отдельной проблемой замминистра выделил введенные ограничения на поставку импортного оборудования.
– При создании было импортозамещено более 30 позиций оборудования, в том числе уникальные, как, например, СВЧ-клистроны мощностью 50 МВт, которые ранее производили только в Японии, США и Франции, – написал Секиринский в пояснительной записке.
При этом в документе указывается, что крайний срок запуска линейного ускорителя источника синхротронного излучения в СКИФе пока остается прежним: до 31 декабря 2024 года.
Напомним, 12 января 2022 года стало известно, что мощнейший в мире синхротрон «СКИФ» получил разрешение на строительство. Его выдал «Росатом» после получения положительного заключения от ФАУ «Главгосэкспертиза России».
«СКИФ» должен стать объектом международного масштаба – каждый год на нем будут работать до двух тысяч пользователей. Запуск синхротрона и одной станции был запланирован на 30 декабря 2023 года. В 2024 году должны были заработать еще шесть базовых станций первой очереди.
«СКИФ» может стать первым в мире источником синхротронного излучения поколения 4+ с энергией три электронвольта (ГэВ).
Вместо декабря 2024 года проект может быть реализован до 31 декабря 2025 года. Об этом говорится в пояснительной записке замминистра науки и высшего образования РФ Дениса Секиринского.
Министерство науки и высшего образования России предлагает продлить на год сдачу строящегося центра «Сибирский кольцевой источник фотонов» (СКИФ). Для переноса даты по сдаче проекта предполагается внести поправки в Указ президента России о мерах по развитию синхротронных и нейтронных исследований и соответствующей инфраструктуры. Об этом со ссылкой на пояснительную записку за авторством замминистра науки и высшего образования Дениса Секиринского сообщают «Ведомости».
Для центра СКИФ министерство хочет перенести сроки создания источника синхротронного излучения поколения 4+ с 31 декабря 2024 года до 31 декабря 2025 года. Задержки объясняют уникальностью и строительной сложностью проекта, а также необходимостью доработки проектных решений из-за просадки грунта.
Отдельной проблемой замминистра выделил введенные ограничения на поставку импортного оборудования.
– При создании было импортозамещено более 30 позиций оборудования, в том числе уникальные, как, например, СВЧ-клистроны мощностью 50 МВт, которые ранее производили только в Японии, США и Франции, – написал Секиринский в пояснительной записке.
При этом в документе указывается, что крайний срок запуска линейного ускорителя источника синхротронного излучения в СКИФе пока остается прежним: до 31 декабря 2024 года.
Напомним, 12 января 2022 года стало известно, что мощнейший в мире синхротрон «СКИФ» получил разрешение на строительство. Его выдал «Росатом» после получения положительного заключения от ФАУ «Главгосэкспертиза России».
«СКИФ» должен стать объектом международного масштаба – каждый год на нем будут работать до двух тысяч пользователей. Запуск синхротрона и одной станции был запланирован на 30 декабря 2023 года. В 2024 году должны были заработать еще шесть базовых станций первой очереди.
«СКИФ» может стать первым в мире источником синхротронного излучения поколения 4+ с энергией три электронвольта (ГэВ).
