Лента новостей

Все новости

Популярное

Быструю флешку на основе мультиграфена создали в Новосибирске

    Фото: s.yimg.com

Быструю флешку на основе мультиграфена создали в Новосибирске

Флеш-память с повышенной производительностью создали новосибирские физики. Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали устройство для хранения информации, используя мультиграфен, такая флешка работает значительно быстрее своих аналогов, заверили ученые.

Принцип действия флеш-памяти основан на инжекции и хранении электрического заряда в запоминающей среде – мультиграфене, пишет «Наука в Сибири» . Помимо этого необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости. 

«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», – отметил старший научный сотрудник ИФП СО РАН, кандидат физико-математических наук Юрий Новиков.

«На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов», – прокомментировал также ученый.

Флеш-память с повышенной производительностью создали новосибирские физики. Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали устройство для хранения информации, используя мультиграфен, такая флешка работает значительно быстрее своих аналогов, заверили ученые.

Принцип действия флеш-памяти основан на инжекции и хранении электрического заряда в запоминающей среде – мультиграфене, пишет «Наука в Сибири» . Помимо этого необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости. 

«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», – отметил старший научный сотрудник ИФП СО РАН, кандидат физико-математических наук Юрий Новиков.

«На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов», – прокомментировал также ученый.


Новости партнеров

В России и мире

Простой и безопасный способ очистить кишечник без клизм и слабительных – этот фрукт вам в помощь
Весна – время мыть окна! 8 хитростей, благодаря которым они будут кристально чистыми, прозрачными, без разводов
Как женщине справиться с чувством ревности к мужчине
Что делать, если обезболивающие не избавляют от боли, а вызывают ее
Начинаем готовиться к пляжному сезону: полезные привычки, которые помогают похудеть без особых усилий
5 знаков зодиака, которые могут рассчитывать на прорыв в карьере из-за Великого Стеллиума в Тельце 21 апреля
Можно ли оглохнуть от наушников: школьники и подростки должны знать неприятную правду
Что бывает с человеком, который матерится и сквернословит? Объясняют священники
Из-за этих трех женских поступков мужчина навсегда потеряет уважение к ней
Очень необычный способ выращивания клубники: с той же площади получите в 10 раз больше урожая!