Флеш-память с повышенной производительностью создали новосибирские физики. Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали устройство для хранения информации, используя мультиграфен, такая флешка работает значительно быстрее своих аналогов, заверили ученые.
Принцип действия флеш-памяти основан на инжекции и хранении электрического заряда в запоминающей среде – мультиграфене, пишет «Наука в Сибири» . Помимо этого необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», – отметил старший научный сотрудник ИФП СО РАН, кандидат физико-математических наук Юрий Новиков.
«На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов», – прокомментировал также ученый.
Быструю флешку на основе мультиграфена создали в Новосибирске
Флеш-память с повышенной производительностью создали новосибирские физики. Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН разработали устройство для хранения информации, используя мультиграфен, такая флешка работает значительно быстрее своих аналогов, заверили ученые.
Принцип действия флеш-памяти основан на инжекции и хранении электрического заряда в запоминающей среде – мультиграфене, пишет «Наука в Сибири» . Помимо этого необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», – отметил старший научный сотрудник ИФП СО РАН, кандидат физико-математических наук Юрий Новиков.
«На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов», – прокомментировал также ученый.
